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(Lead free) WE-CBF, SMD-Ferrit, Bauform: 0603, 470 Ohm, 742 792 642 (Lead free) WE-CBF, SMD-Ferrit, Bauform: 0603, 470 Ohm, Reel: 4000 Stück
Transistor, GP, GJT, NPN, 30 V, 0,1 A, 300 mW, SOT23, BC848C LT1 Transistor, GP, GJT, NPN, 30 V, 0,1 A, 300 mW, SOT23
N-Trans,Uni 50 V, 0,2 A, 0,3 W, 250 MHz, TO92, BC167B N-Trans,Uni 50 V, 0,2 A, 0,3 W, 250 MHz, Gehäuse: TO92
Silicon Epitaxial Planar, Schalt- Diode SS, < 8ns, 75V 75mA, 1N4148 Silicon Epitaxial Planar, Schalt- Diode SS, < 8ns, 75V 75mA
Metallschicht-R 0,6W 1% Bauform 0207, MR 25 1% 220 R Metallschicht-R 0,6W 1% Bauf,0207 Mindestabnahme: 1 VE = 10 Stück
Planar, Epitaxial, Schaltdiode, 75 V, 0,15 A, 0,5 W, 4 ns, DO213AA, , LL4148 SMD Planar, Epitaxial, Schaltdiode, 75 V, 0,15 A, 0,5 W, 4 ns, DO213AA, MiniMelf, Packing: T+R 2500 St,
(RoHS) Kabel-Zugentlastungsschelle 20 mm, Lochabstand: 14 mm, KZ 0440 (RoHS) Kabel-Zugentlastungsschelle 20 mm Lochabstand: 14 mm, Bohrung: 3,2 mm, Polyamid 6 30GF,
(PB free) WE-PD4, SMD-Speicherdrossel, Bauform: 1005 L, 47 uH, 744 561 47 (PB free) WE-PD4, SMD-Speicherdrossel, Bauform: 1005 L, 47 uH, Reel: 600 Stück
(PB free) WE-GF, SMD-HF-Entstördrossel, Bauform: 1210 m. 100 uH, 744 764 20 (PB free) WE-GF, SMD-HF-Entstördrossel, Bauform: 1210 M, 100 uH, Reel: 5000 Stück
Elko, axial, 25 V, 10 uF, 85 °, 5,1x11,2 mm, AX 25V 10UF Elko, axial, 25 V, 10 uF, 85 Grad, DxL: 5,1 x 11,2 mm 100 Stück Beutel
NPN General Purpose Amplifier, TO92, 2N3417 NPN General Purpose Amplifier, Gehäuse: TO92, 2000 Stück Reel
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